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画像 品番 メーカー 数量 配達期間 単価 買う 説明 Packaging Series Operating Temperature Package / Case Supplier Device Package Gate Type Rise / Fall Time (Typ) Current - Peak Output (Source, Sink)
ZXGD3006E6TA
Diodes Incorporated
21,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
Tape & Reel (TR) Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3006E6TA
Diodes Incorporated
23,086
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
Cut Tape (CT) Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3006E6TA
Diodes Incorporated
23,086
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
- Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3003E6TA
Diodes Incorporated
9,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Tape & Reel (TR) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 8.9ns,8.9ns 5A,5A
ZXGD3003E6TA
Diodes Incorporated
11,323
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Cut Tape (CT) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 8.9ns,8.9ns 5A,5A
ZXGD3003E6TA
Diodes Incorporated
11,323
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 8.9ns,8.9ns 5A,5A
ZXGD3006E6QTA
Diodes Incorporated
6,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
Tape & Reel (TR) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3006E6QTA
Diodes Incorporated
7,375
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
Cut Tape (CT) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3006E6QTA
Diodes Incorporated
7,375
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT26
- - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 IGBT,SiC MOSFET 48ns,35ns 10A,10A
ZXGD3004E6TA
Diodes Incorporated
33,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Tape & Reel (TR) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 13.4ns,12.4ns 8A,8A
ZXGD3004E6TA
Diodes Incorporated
34,034
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Cut Tape (CT) - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 13.4ns,12.4ns 8A,8A
ZXGD3004E6TA
Diodes Incorporated
34,034
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- - -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-23-6 IGBT,N-Channel MOSFET 13.4ns,12.4ns 8A,8A
ZXGD3009DYTA
Diodes Incorporated
12,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363
Tape & Reel (TR) - -55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3009DYTA
Diodes Incorporated
14,341
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363
Cut Tape (CT) - -55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3009DYTA
Diodes Incorporated
14,341
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT363
- - -55°C ~ 150°C (TJ) 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 SOT-363 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3009E6TA
Diodes Incorporated
27,000
3日
-
MOQ: 3000  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Tape & Reel (TR) Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3009E6TA
Diodes Incorporated
28,160
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
Cut Tape (CT) Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3009E6TA
Diodes Incorporated
28,160
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC GATE DRVR IGBT/MOSFET SOT23-6
- Automotive,AEC-Q101 -55°C ~ 150°C (TJ) SOT-23-6 SOT-26 N-Channel MOSFET 210ns,240ns 2A,2A
ZXGD3107N8TC
Diodes Incorporated
2,500
3日
-
MOQ: 2500  MPQ: 1
IC SYNCH MOSFET CNTLR 8SO
Tape & Reel (TR) - -40°C ~ 150°C (TJ) 8-SOIC (0.154",3.90mm Width) 8-SO N-Channel MOSFET 175ns,20ns 2A,7A
ZXGD3107N8TC
Diodes Incorporated
2,931
3日
-
MOQ: 1  MPQ: 1
IC SYNCH MOSFET CNTLR 8SO
Cut Tape (CT) - -40°C ~ 150°C (TJ) 8-SOIC (0.154",3.90mm Width) 8-SO N-Channel MOSFET 175ns,20ns 2A,7A